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Si4914BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
0.0 8
10
0.06
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
T A = 125 °C
0.02
T A = 25 °C
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
10 -1
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
V DS = 20 V
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10 -2
10 -3
10 -4
10 -5
10 -6
V DS = 30 V
V DS = 10 V
8 0
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Reverse Current Schottky
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 69654
S09-2109-Rev. E, 12-Oct-09
www.vishay.com
9
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